محاضرة بعنوان (تأثير التركيب النانوي لأكسيد الزنك على أداء الخلية الشمسية)

​​أقيمت مساء يوم الأحد ٥ صفر ١٤٤٣هـ، الموافق ١٢ سبتمبر ٢٠٢١م محاضرة بعنوان (تأثير التركيب النانوي لأكسيد الزنك على أداء الخلية الشمسية المصنعة من مادتين مختلفتين (ZnO/Si) بطرق غير مكلفة)  للدكتور عبدالعزيز بن إبراهيم الجميل، وذلك ضمن برنامج تمويل المشروعات البحثية في عمادة البحث العلمي بجامعة الإمام محمد بن سعود الإسلامية (المشروع رقم: 381215).​

وتحدث الدكتور الجميل في هذه المحاضرة عن تصنيع أجهزة الخلايا الشمسية على أساس ثلاثة أغشية رقيقة من أكسيد الزنك (ZnO) من النوع p المترسبة على ركيزة السيليكون Si (111) من النوع p. تم طلاء أغشية ZnO الرقيقة بالدوران على ركائز Si (111) مغلفة بطبقة ZnO باستخدام محاليل كيميائية تتكون من جزيئات ZnO النانوية.

كما تم تحضير محاليل الجسيمات النانوية ZnO عبر ثلاث طرق كيميائية مختلفة ، وهي الترسيب المشترك ، سول-جل وطريقة الاحتراق. تم تحلل الأغشية المطلية تدريجياً لإخراج المذيب عند 700 درجة مئوية لمدة 3 ساعات. 

وتم فحص الخصائص الهيكلية للعينات المنتجة ومورفولوجيا السطح باستخدام المجهر الإلكتروني الماسح (FESEM) وقياس حيود الأشعة السينية (XRD). في نفس الوقت تمت دراسة الخصائص البصرية والكهربائية باستخدام مقياس الطيف المرئي للأشعة فوق البنفسجية وقياس تأثير هول على التوالي. تم حساب أداء هذه الأنواع الثلاثة من الخلايا الشمسية.