نظمت اللجنة العلمية بقسم الفيزياء أولى ندوات القسم للفصل الدراسي الثاني من العام الدراسي 1436/1437هـ، حيث كانت الندوة بعنوان:
" دراسة الثنائي الضوئي المصنع من الجسيمات النانوية من أكسيد الزنك المطعم بالألمنيوم والمرسبة بتقنية الليزرالنبضي"
" Study of Au/AZO/p-Si/Al photodiode based on AZO nanoparticles deposed by PLD technique"
قدم الندوة مشكوراً الأستاذ الدكتور بالقسم لسعد المير. كان ذلك يوم الثلاثاء 30 ربيع الثاني 1437هـ الموافق 09 فبراير2016م، وذلك من الساعة 11:00 صباحاً ولمدة نصف ساعة. هذا وقد تلى الندوة مداخلات وأسئلة من الحضور.
بدأ مقدم الندوة اعطاء فكرة عن الثنائي الضوئي و استعمالاته الالكتروضوئية، كما تناولت الندوة النقاط الأساسية التي يمر بها تصنيع هذه العينات، وذلك بالاعتماد على طريقة الصول-جل لتصنيع جسيمات نانوية من أكسيد الزنك المطعم بالألمنيوم و استعمال تقنية الليزرالنبضي للترسيب. ولقد عرض مقدم الندوة النتائج المتحصل عليها بعد تشخيص العينات المصنعة و ذلك بدراستة خصائصها الهيكلية والكهربائية. ولقد دار النقاش حول عدة نقاط شارك فيها عدد من أعضاء هيئة التدريس بالقسم، ولقد شمل النقاش الجانب التطبيقي لكيفية تصنيع هذه النوعية من العينات اضافة الى امكانية استعمالها في عدة تطبيقات.
تأتي هذه الندوة ضمن سلسلة ندوات أسبوعية تنظمها اللجنة العلمية بقسم الفيزياء ويقدمها أعضاء هيئة التدريس بالقسم وباحثون من جهات بحثية أخرى، تهدف هذه الندوات إلى تحفيز مناخ البحث العلمي بالقسم وإطلاع منسوبيه على آخر ما توصلت إليه العلوم الفيزيائية في شتى المجالات.
جدير بالذكر أن الحضور لهذه الندوات متاح لجميع منسوبي الجامعة من أعضاء هيئة تدريس وموظفين وطلاب.
للمزيد من الملعلومات حول الندوة المقدمة يمكنكم الاطلاع على ملخص الندوة أدناه:
Abstract
In this study, the electrical and photoresponse properties of Au/AZO/p-Si/Al diode were investigated. Al-doped ZnO (AZO) thin films were deposited via pulsed laser deposition (LPD) method on silicon substrate. Structural and textural properties of the films were performed by using scanning electron microscopy (SEM) and X-ray powder diffraction (XRD). The XRD patterns showed that the AZO films are polycrystalline with hexagonal wurtzite structure preferentially oriented in (002) direction. Electrical and photoresponse properties of the diode were analyzed under a wide range of frequencies andillumination intensities. It is observed that the reverse current of the diode increases with increasing illumination intensity. This result confirms that the diode exhibits a photoconducting behavior. Also, the transient photocurrent, photocapacitance and photoconductance measured as a function of time highly depend on transient illumination. In addition, the frequency dependence of capacitance and conductance is attributed to the presence of interface states.
