في إطار النشاط العلمي والبحثي لقسم الفيزياء بكلية العلوم، أقام القسم ندوة علمية (سيمنار علمي) بعنوان:
Advances in 2.4 GHz GaN, GaAs and InGaAs power amplifiers: technologies, challenges, and trends
قدّمتها سعادة الدكتورة
أسماء الميموني
الأستاذ المساعد في قسم الفيزياء
وذلك يوم الأربعاء 8/04/2026 في تمام الساعة 12:30مساءً قاعة الاجتماعات 3-A-335.
وقد تناولت الندوة العلمية:
This comprehensive and diligent analysis of the current developments of power amplifier (PA) for the 2.4 GHz band, spectrum of growing importance due to its wide range of applications such as wireless communications, medical, IoT, and radar. The analysis spans the last decade of research, offering a balanced evaluation of Gallium Nitride (GaN), Gallium Arsenide (GaAs) and Indium Gallium Arsenide (InGaAs) power amplifiers. It evaluates the root factors driving power amplifier performance metrics, such as output power, efficiency, and linearity, based on both quantitative and qualitative comparisons of comprehensive sets of extracted performance metrics from recent research articles. The research evaluates the effect of various available substrate materials, from economical FR4 (Flame Retardant) through high-end laminates like Rogers (e.g., RO4350, RT5880) and Taconic, to the final characteristics of the amplifiers. Further, the work covers the application of a wide range of methodologies of enhancing the performance of the resultant devices, including Doherty, Digital Pre-Distortion (DPD), and Load Modulation, and compares the effectiveness of the current top-notch transistor families: GaN, GaAs, and InGaAs.
وتم تقديم حليلاً شاملاً ودقيقاً للتطورات الحالية في مجال مضخمات الطاقة (PA) للنطاق الترددي 2.4 جيجاهرتز، وهو نطاق يزداد أهميته بفضل مجموعة واسعة من التطبيقات مثل الاتصالات اللاسلكية، والمجال الطبي، وإنترنت الأشياء، والرادار. يغطي التحليل عقداً كاملاً من الأبحاث، مقدّماً تقييماً متوازناً لمضخمات القدرة المعتمدة على تقنيات نيتريد الغاليومGaN ، وزرنيخيد الغاليوم (GaAs) ، وزرنيخيد الغاليوم والإنديوم .(InGaAs)كما يقيّم العوامل الأساسية التي تتحكم في أداء مضخمات القدرة، مثل قدرة الخرج، والكفاءة، والخطية، وذلك بالاعتماد على مقارنات كمية ونوعية لمجموعة شاملة من مؤشرات الأداء المستخرجة من أحدث الأبحاث. تدرس هذه الأبحاث أيضاً تأثير مختلف مواد الركائز (Substrates)، بدءاً من المواد الاقتصادية مثلFR4 ، مروراً بالصفائح عالية الأداء مثل Rogers مثل RO4350) وRT5880 و (Taconic، وصولاً إلى الخصائص النهائية للمضخمات. علاوة على ذلك، يغطي هذا العمل تطبيق مجموعة واسعة من المنهجيات لتحسين أداء الأجهزة الناتجة، بما في ذلك Doherty، والتشويه الرقمي المسبق (DPD)، وتعديل الحمل، ويقارن فعالية عائلات الترانزستورات الحالية من الدرجة الأولى: GaN، و GaAs، وInGaAs .
كما استعرضت أبرز المحاور والنتائج ذات الصلة بالموضوع مقدمةً طرحاً علمياً قيّماً أثار نقاشاً مثمراً بين أعضاء هيئة التدريس.
وتأتي هذه الندوة ضمن سلسلة الأنشطة العلمية التي يحرص قسم الفيزياء على تنظيمها بشكل دوري وذلك في إطار تعزيز النشاط البحثي والأكاديمي بالقسم وحرصاً على إتاحة الفرصة للتفاعل العلمي وتبادل الخبرات والمعارف بين أعضاء هيئة التدريس والباحثين وطلاب الدراسات العليا بالقسم.
|
 |
