يسر اللجنة العلمية بقسم الفيزياء دعوتكم للندوة العلمية الحادية عشرة – قسم الطالبات للفصل الدراسي الثاني للعام 1438/1439هـ. ستقدم الندوة مشكورة الدكتورة اسماء الميموني .

عنوان الندوة:    

دراسة تاثير trapping effect و انهيار تيار التشبع في الترانزيستور HEMT القائم على تيترات الجاليوم GaN

characterization of the trapping effect and degradation of the saturation current in the GaN based HEMTs

 (تجدون أدناه ملخص الندوة)

المكان: قاعة رقم (1-C-511) في قسم الفيزياء.

الزمان : يوم الأربعاء القادم 26 جماد الثاني 1439هـ الموافق 14 مارس  2018م من الساعة 09:15 إلى الساعة 09:45 صباحاً.

الحضور: كافة منسوبي الجامعة، ونذكر بدعوة طالبات القسم كافة وخاصة طالبات مشاريع التخرج.

تأتي هذه الندوة ضمن سلسلة ندوات نصف شهرية تنظمها اللجنة العلمية بقسم الفيزياء ويقدمها أعضاء هيئة التدريس بالقسم وباحثون من جهات بحثية أخرى، ويُشرف على سلسلة الندوات هذه رئيس اللجنة العلمية بالقسم د. رائد الهذلول، وينسقها ويديرها عضو اللجنة العلمية د. جابر الغول، ويديرها بقسم الطالبات أ. مرفت الزميع.

تهدف هذه الندوات إلى تحفيز مناخ البحث العلمي بالقسم وإطلاع منسوبيه على آخر ما توصلت إليه العلوم الفيزيائية في شتى المجالات.

جدير بالذكر أن الحضور لهذه الندوات متاح لجميع منسوبات الجامعة من أعضاء هيئة تدريس وموظفات وطالبات.

للمزيد من المعلومات حول الندوة يمكنكم الاطلاع على ملخص الندوة أدناه:

مع تحيات اللجنة العلمية بقسم الفيزياء.

ملخص:

 نترات الجاليومGaN  وما يرتبط بها هي مواد هامة جدا لتصنيع الأجهزة الضوئية. الترانزيستور HEMTs  القائم على نترات الجاليوم الانسب والاكفأ لمكبرات الصوت المستعملة في الترددات العالية والاتصالات والمجال العسكري لان لها خصائص تساعد على اداء عالي الجودة. كما لها مميزات لها مشاكل تظهر خصوصا في درجات الحرارة والترددات العالية وتؤدي الى انهيارها. لعمل هذه الدراسة اخضعنا مجموعة من الترانيستورات, مصنعة في شركات مختلفة, لشدة توترعالية ودرجة حرارة عالية(Electrical and thermal aging )لمدة 2000 ساعة  وعملنا مقارنة بينها وبين ترانزستورات البكر لملاحظة الفرق في معطيات النوعين والبحث عن الاسباب الفيزيائية لهذا الانهيار.

Abstract:

GaN and the associated III-nitride are too promotional materials for the fabrication of optoelectronic devices. The GaN based HEMTs are best suited for height frequency power amplifier and power switches

The strong electric field degradation phenomena of GaN HEMTs are analyzed by comparing the experimental data with the results of the optimization with degradation model approaches.

to perform this study Electrical and thermal aging at very high temperatures for 2000 hours were carried out. Based on measurements performed on AlGaN / GaN HEMTs devices of (8x75mm) of III-V Labs, Qinetiq of (8x75mm).

 A degradation model of the saturation current Idss has been proposed for AlGaN / GaN HEMTs of (8x75mm), and validation of this model with AlGaN / GaN HEMT transistors of (2x75mm) at three different temperatures (250º, 300º, 350ºC) is made.

السيرة الذاتية لمقدم الندوة:

دكتورة اسماء الميموني استاذ مساعد بقسم الفيزياء كلية العلوم -جامعة الامام محمد بن سعود الاسلامية وحاصلة على درجه الدكتوراه  من جامعة كانتابريا سانتاندير باسبانيا تخصص الكترونيك لها عدد من الابحاث في دراسة  الترانزيستورات العالية التردد التي تستعمل في الاتصالات .

 للإطلاع على الندوات العلمية المقدمة بقسم الفيزياء للأعوام المنصرمة:

الندوات العلمية بقسم الفيزياء في العام الدراسي 1437/1438هـ: الرابط

​الندوات العلمية بقسم الفيزياء في العام الدراسي 1436/1437هـ:  الرابط 

​