يسر اللجنة العلمية بقسم الفيزياء دعوتكم لرابع الندوات العلمية للفصل الدراسي الثاني للعام 1436/1437هـ. سيقدم الندوة مشكوراً الدكتور مسعد بن معطي المطيري المشرف على مركز البحوث و الدراسات في الهيئة السعودية للمواصفات والمقاييس والجودة.
عنوان الندوة هو:
ZnO Grown by Pulsed Laser Deposition
(تجدون أدناه ملخص الندوة)
المكان : قاعة رقم (2-34) في قسم الفيزياء.
الزمان : يوم الثلاثاء القادم 20 جمادي الثاني 1437هـ الموافق 29 مارس 2016م من الساعة 11:00 إلى الساعة 11:30 صباحاً.
الحضور : كافة منسوبي الجامعة، ونذكر بدعوة طلاب القسم كافة وخاصة طلاب مشاريع التخرج.
مع تحيات اللجنة العلمية بقسم الفيزياء.
Summary
The invention of the p-n junction in the beginning of the twentieth century was a key turning point, leading to the huge revolution in semiconductor-based electronics technology. Classical semiconductors such as silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide (GaAs) and related III-V materials were the earliest materials used in the industry of electronics and are characterised by their small to moderate bandgap energies.
However, classical semiconductors cannot be effectively utilised to fulfill the rapidly growing demand for efficient semiconductor-based devices due to their performance limitation induced by their narrow bandgaps. Therefore, shifting towards wide-bandgap semiconductors, for example ZnO, for efficient light, higher-temperature, high-voltage and high-frequency devices has been supported by intensive research.
In this talk, various physical properties of ZnO will be briefly discussed and then how high quality self-assembled ZnO nanostructures using pulsed laser deposition (PLD) technique can be produced.
ملخص:
اختراع الوصلة الثانية في بدايات القرن العشرين تمثل نقطة رئيسية، أدت الى حدوث ثورة هائلة في تقنية الالكترونيات المعتمدة على أشباه الموصلات . أشباه الموصلات التقليدية مثل مادة السيليكون والجرمانيوم وزرنيخ الجاليوم والمواد المنتمية للمجموعة الثالثة والخامسة تعتبر من أوائل المواد المستخدمة في صناعة الالكترونيات إلا ان طاقة نطاق الفجوة لأشباه الموصلات التقليدية توصف بأنها صغيرة الى متوسطة.
لذلك هذه النوعية من اشباه الموصلات لا يمكن إستغلالها بشكل فعال لتفي بالاحتياج المتزايد لأجهزة كفاءة عالية نظرا لضيق نطاق فجوتها. وبالتالي أصبح هناك توجه مدعوم بالابحاث العلمية المركزة الى إستخدام مواد شبة موصلة ذات نطاق فجوة عريض، مثل مادة أكسيد الزنك، للحصول على أجهزة عالية الكفاءة ويمكن أن تعمل في ظروف تشغل مختلفة.
في هذه المحاضرة سوف يتم التطرق بشكل مختصر الى الخصائص الفيزيائية لمادة أكسيد الزنك. بالاضافة الى أستخدام تقنية الترسيب الطبقي باستخدام الليزر للحصول على أشكال متناهية في الصغر ذات جودة عالية.
